Una nuova struttura delle celle dovrebbe consentire la realizzazione di memorie con maggiore capacità in minori dimensioni
12 giugno 2003 Toshiba e SanDisk hanno reso noto di
aver sviluppato congiuntamente una nuova struttura delle celle delle fash
memory, cosa che consentirà di produrre già dal 2004 flash memory chip in taglie
da 2 e da 4 gigabit.
La nuova soluzione dovrebbe limitare in qualche modo il
collo di bottiglia che si è venuto a creare, in seguito alla crescente domanda
di memorie non volatili per videocamere, fotocamere, telefoni cellulari e pda,
consentendo per altro maggiore capacità in un spazio più piccolo.
