Si chiama High-k metal gate e verrà implementato nel 2008.
In collaborazione con i partner della Ibm Alliance, Sony, Toshiba e Amd, Ibm
annuncia un importante passo avanti nelle tecniche di progettazione e
costruzione dei microchip, grazie all’utilizzo di nuovi materiali che
creano le premesse per circuiti di dimensioni, velocità ed efficienza
energetica ritenute finora impensabili.
“High-k metal gate”, questo il
nome della tecnologia, sostituisce un nuovo materiale in una posizione critica
del transistor, che controlla la sua funzione di commutazione on/off principale.
Il materiale offre proprietà elettriche di livello superiore rispetto al
predecessore, potenziando la funzione del transistor e consentendo inoltre di
ridurne le dimensioni oltre i limiti raggiunti attualmente.
Ma non è
tutto: la nuova tecnologia può essere incorporata nelle linee di produzione
dei chip esistenti, con modifiche minime alle attrezzature e ai processi,
rendendola così realizzabile anche dal punto di vista economico.
Ibm ha
già inserito la nuova tecnologia nella linea East Fishkill e la applicherà ai
prodotti a partire dal 2008.
