Presto avremo 1 TB sullo smartphone: Samsung ha annunciato infatti di aver superato la soglia del Terabyte per le unità di storage incorporate.
La nuova unità Universal Flash Storage da 1 TB è potenziata dalla V-Nand di quinta generazione dell’azienda.
Essa non solo non solo offre 20 volte più spazio di archiviazione rispetto a una memoria interna da 64 GB. È anche dieci volte più veloce di una tipica scheda microSD. Avremo quindi molto spazio in più sullo smartphone anche senza ricorrere a schede di memoria esterne. E con prestazioni superiori.
Samsung ha annunciato di aver già iniziato la produzione di massa della nuova eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1 da 1 TB. La prima nel suo genere, dedicata al settore mobile. Settore mobile che potrà essere portato allo stesso livello, per quanto riguarda lo spazio di archiviazione, dei Pc portatili. Una unità di storage che supera la barra del Terabyte e che troverà verosimilmente spazio nella prossima generazione di smartphone premium.
La nuova soluzione eUFS da 1 TB raddoppia la capacità della precedente versione da 512 GB. La cosa importante è che raggiunge l’obiettivo mantenendosi entro la stessa dimensione del package: 11,5 mm x 13,0 mm. Samsung ottiene questo risultato combinando strati sovrapposti della sua memoria flash V-Nand da 512 Gb più avanzata. E mediante un nuovo controller proprietario sviluppato dall’azienda.
Un carico di memoria per gli smartphone, da Samsung
Samsung offre qualche esempio della quantità di dati in più che gli utenti di smartphone saranno ora in grado di memorizzare. In un TB possono entrarci 260 video di 10 minuti in formato 4K UHD (3840 × 2160). L’eUFS da 64 GB utilizzata in molti smartphone attuali anche di fascia alta, è in grado di memorizzarne 13, della stessa risoluzione.
L’eUFS da 1 TB offre anche una velocità superiore, per trasferire grandi quantità di contenuti in un tempo notevolmente ridotto. La nuova eUFS arriva fino a 1.000 megabyte al secondo nelle operazioni di sequential read. È circa il doppio della velocità in sequential read di una tipica unità SSD da 2,5 pollici.
Inoltre, la velocità di random read è aumentata fino al 38% rispetto alla versione da 512 GB, arrivando fino a 58.000 IOPS. Le operazioni di random write sono 500 volte più veloci di una scheda microSD ad alte prestazioni (100 IOPS), arrivando fino a 50.000 IOPS. Le velocità random consentono ad esempio di effettuare scatti continui a 960 fotogrammi al secondo.
Samsung prevede di espandere la produzione della sua V-Nand da 512 Gb di quinta generazione nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea nella prima metà del 2019. Allo scopo di soddisfare la prevista forte domanda di eUFS da 1 TB da parte dei produttori di dispositivi mobili.
