Con una potenza utile di 3,6 kiloWatt e un’efficienza del 70%, IGN1011S3600, il primo prodotto GaN RF da 100 V di Integra, offre prestazioni rivoluzionarie per i sistemi avionici di nuova generazione
EL SEGUNDO, California–(BUSINESS WIRE)–Integra, prestigioso fornitore di soluzioni RF e sorgenti di potenza a microonde atte a rendere il mondo più sicuro e connesso, ha lanciato oggi la prima tecnologia GaN/SiC RF da 100 V del settore destinata a un’ampia gamma di applicazioni tra cui radar, sistemi avionici, dispositivi per guerra elettronica e sistemi industriali, scientifici e medici. Operante a 100 V, questa tecnologia abbatte le barriere di prestazione dell’energia a radiofrequenza raggiungendo 3,6 kiloWatt (kW) di potenza utile in un singolo transistor GaN.
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