La società texana ha messo a punto un processo produttivo a 0,09 micron, che consentirà di avere Dsp e Asic più potenti e con consumi ridotti. Ma a beneficiarne saranno anche gli UltraSparc.
Prestazioni ai massimi livelli e consumi ridotti all’osso. In questo modo si
potrebbe riassumere la notizia fornita da Texas Instruments riguardo la
disponibilità di un nuovo processo produttivo a 90 nanometri (nm), ossia 0,09
micron. Questa nuova tecnologia consente di realizzare transistor con dimensioni
di 37 nm, permettendo quindi di alloggiare sino a 400 milioni di componenti
attivi un singolo chip. E ciò per Ti rappresenta l’opportunità di fornire
soluzioni del tipo system-on-a-chip con prestazioni di più alto livello e con un
consumo energetico limitato. A beneficiarne saranno principalmente i processori
Dsp e Asic, ma anche gli UltraSparc di Sun Microsystems, che saranno anch’essi
costruiti con il processo a 90 nm.
Secondo le previsioni fornite dal costruttore texano, da un parte avremo
perciò dei chip indirizzati all’impiego in dispositivi mobile 2,5G e 3G in grado
di elaborare audio,video e dati a una velocità tre volte superiore all’attuale.
“L’idea – ha detto Peter Rickert, direttore dello sviluppo dei processi
tecnologici di Ti – è quella di avere sui telefoni cellulari le stesse funzioni
che si hanno sui Pda o sui lettori Mp3, ma senza per questo usare batterie più
potenti”. Dall’altra parte ci saranno prodotti indirizzati alle infrastrutture
Internet capaci di velocità di trasmissione di 10 Gbps. Infine, i sistemi a base
UltraSparc potranno disporre di processori con clock di diversi gigaHertz che
potranno eseguire il multiprocessing direttamente sul singolo chip.
Il nuovo processo produttivo prevede sino a nove strati di rame interconnessi
e integrati attraverso un nuovo tipo di isolante, chiamato Ogano-Silicate Glass
(Osg), a bassa costante dielettrica.
Il processo a 90 nm è stato sviluppato
per la realizzazione di wafer sia da 200 mm sia da 300 mm e la produzione in
volumi è prevista per il prossimo anno.
