In fase di test nuovi chip in grado di quintuplicare le prestazioni dei prodotti attuali, raggiungendo 200 MBps in lettura e a 100 MBps in scrittura. La disponibilità commerciale è prevista per la seconda metà dell’anno
Im Flash Technologies, la joint venture creata da Intel e Micron, ha dato notizia di aver iniziato la fase di test di una nuova memoria flash in grado di raggiungere velocità cinque volte superiori a quelle ottenibili con i prodotti attuali. In pratica, la nuova Nand, che è del tipo 8Gb SLC (single-level cell), consente di arrivare a 200 MBps in lettura e a 100 MBps in scrittura, contro, rispettivamente, i 40 MBps e 20 MBps consentiti sinora sia dai prodotti di Micron sia da quelli delle aziende concorrenti.
Questi risultati sono stati possibili grazie a una serie di modifiche nell’architettura della Nand e a dei miglioramenti nella circuiteria preposta alla lettura e scrittura dei dati. Tali innovazioni sono conformi alle specifiche inerenti l’architettura delle memorie stabiliti dalle specifiche Onfi (Open NAND Flash Interface) 2.0. Ricordiamo che nel 2006 Micron è stato tra i fondatori dell’Onfi assieme ad altri attori del settore, come Hynix Semiconductor, Intel, Phison Electronics, Sony e StMicroelectronics.
Attualmente in distribuzione per il sampling, le nuove memorie dovrebbero essere in commercio nella seconda metà del 2008. I settori per cui è previsto l’impiego sono quelli della fotografia e del video dove è necessario disporre di prodotti con prestazioni particolarmente avanzate. In un secondo tempo, quando i prezzi fisiologicamente diminuiranno, saranno usate anche nei riproduttori Mp3.
