TOKYO–(BUSINESS WIRE)–Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063) (sede centrale: Tokyo; presidente: Yasuhiko Saitoh; di seguito, “Shin-Etsu Chemical”) ha creato un substrato QSTTM da 300 mm (12 pollici), dedicato alla crescita epitassiale del GaN, iniziando di recente a fornire campioni.
Shin-Etsu Chemical ha venduto substrati QSTTM da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici) e substrati QSTTM per la crescita epitassiale del GaN di ciascun diametro. Nel frattempo, l’azienda ha lavorato per aumentare ulteriormente il diametro in risposta alla forte domanda dei clienti e ha sviluppato con successo un substrato QSTTM da 300 mm (12 pollici). I produttori di dispositivi GaN non traggono vantaggio dall’aumento del diametro dei materiali a causa della mancanza di substrati di grande diametro adatti alla crescita del GaN, nonostante possano utilizzare la linea di produzione di Si esistente per il GaN.
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